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45-28nm配线用Ta材料规模化生产技术与品质提升（国家02专项）
发布时间：
2014-06-16 18:35:24
该项目是国家02重大专项极大规模集成电路制造装备及成套工艺的子项目。该项目实施以来，研发出了满足45-28nm配线用的4N5高纯钽材料。溅射
本项目于2011年被列入国家02重大专项“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”子项目。项目实施以来，研发出了满足45-28nm配线用的4N5高纯钽材料。溅射膜厚及均匀性、电阻率、颗粒数、电子迁移和应力迁移的可靠性等均满足芯片配线要求，产品通过了富士通、台积电等用户认证，目前正在中芯国际评价中。项目研究期间共申请发明专利9项，其中公开6项，受理3项。
